SiC kerámia lemez/tálca 4 és 6 hüvelykes ICP ostyatartóhoz

SiC kerámia lemez/tálca 4 és 6 hüvelykes ostyatartóhoz ICP-hez Kiemelt kép

Rövid leírás:

A SiC kerámia lemez egy nagy teljesítményű, nagy tisztaságú szilícium-karbidból készült alkatrész, amelyet extrém termikus, kémiai és mechanikai környezetben való használatra terveztek. Kivételes keménységéről, hővezető képességéről és korrózióállóságáról ismert SiC lemezt széles körben használják ostyahordozóként, szuszceptorként vagy szerkezeti elemként a félvezető-, LED-, fotovoltaikus és repülőgépiparban.

Küldjön nekünk e-mailt

Jellemzők

SiC kerámia lemez Absztrakt

Kiemelkedő, akár 1600°C-ig terjedő hőstabilitásával, valamint a reaktív gázokkal és plazmakörnyezettel szembeni kiváló ellenállásával a SiC lemez állandó teljesítményt biztosít a magas hőmérsékletű maratás, leválasztás és diffúziós folyamatok során. Sűrű, nem porózus mikroszerkezete minimalizálja a részecskeképződést, így ideális ultratiszta alkalmazásokhoz vákuum- vagy tisztatéri környezetben.

SiC kerámia lemez Alkalmazás

1. Félvezetőgyártás

A SiC kerámialemezeket gyakran használják ostyahordozóként, szuszceptorként és talapzatlemezként félvezetőgyártó berendezésekben, például CVD (kémiai gőzfázisú leválasztás), PVD (fizikai gőzfázisú leválasztás) és maratási rendszerekben. Kiváló hővezető képességük és alacsony hőtágulásuk lehetővé teszi számukra az egyenletes hőmérséklet-eloszlás fenntartását, ami kritikus fontosságú a nagy pontosságú ostyafeldolgozáshoz. A SiC korrozív gázokkal és plazmákkal szembeni ellenállása tartósságot biztosít a zord környezetben, segítve a részecskeszennyeződés és a berendezések karbantartásának csökkentését.

2. LED ipar – ICP maratás

A LED-gyártásban a SiC lemezek kulcsfontosságú alkatrészek az ICP (induktív csatolású plazma) marórendszerekben. Lapkatartóként működve stabil és hőálló platformot biztosítanak a zafír vagy GaN lapkák plazmafeldolgozás során történő alátámasztására. Kiváló plazmaállóságuk, felületi síkfelületük és méretstabilitásuk hozzájárul a magas marási pontosság és egyenletesség biztosításához, ami a LED-chipek nagyobb hozamához és eszközteljesítményéhez vezet.

3. Fotovoltaikus rendszerek (PV) és napenergia

A SiC kerámialapokat napelemgyártásban is használják, különösen a magas hőmérsékletű szinterelési és lágyítási lépések során. Magas hőmérsékleten mutatott tehetetlenségük és a vetemedésállóságuk biztosítja a szilíciumlapkák egyenletes feldolgozását. Ezenkívül alacsony szennyeződési kockázatuk létfontosságú a fotovoltaikus cellák hatékonyságának fenntartásához.

SiC kerámia lemez tulajdonságai

1. Kivételes mechanikai szilárdság és keménység

A SiC kerámia lemezek nagyon nagy mechanikai szilárdsággal rendelkeznek, tipikus hajlítószilárdságuk meghaladja a 400 MPa-t, Vickers-keménységük pedig eléri a >2000 HV-t. Ezáltal rendkívül ellenállóak a mechanikai kopással, kopással és deformációval szemben, így hosszú élettartamot biztosítanak még nagy terhelés vagy ismételt hőciklusok esetén is.

2. Magas hővezető képesség

A SiC kiváló hővezető képességgel rendelkezik (jellemzően 120–200 W/m·K), ami lehetővé teszi a hő egyenletes eloszlását a felületén. Ez a tulajdonság kritikus fontosságú olyan folyamatokban, mint a lapkamaratás, a leválasztás vagy a szinterezés, ahol a hőmérséklet egyenletessége közvetlenül befolyásolja a termék hozamát és minőségét.

3. Kiváló hőstabilitás

Magas olvadáspontjukkal (2700 °C) és alacsony hőtágulási együtthatójukkal (4,0 × 10⁻⁶/K) a SiC kerámialemezek gyors fűtési és hűtési ciklusok alatt is megőrzik méretpontosságukat és szerkezeti integritásukat. Ez ideálissá teszi őket magas hőmérsékletű kemencékben, vákuumkamrákban és plazmakörnyezetekben való alkalmazásra.

Műszaki tulajdonságok
Index	Egység	Érték
Anyag neve		Reakciós szinterezett szilícium-karbid	Nyomásmentes szinterezett szilícium-karbid	Átkristályosított szilícium-karbid
Összetétel		RBSiC	SSiC	R-SiC
Térfogatsűrűség	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Hajlító szilárdság	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Nyomószilárdság	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Keménység	Knoop	2700	2800	/
Kitartás megtörése	MPa m1/2	4.5	4	/
Hővezető képesség	W/mk	95	120	23
Hőtágulási együttható	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Fajhő	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Maximális hőmérséklet a levegőben	℃	1200	1500	1600
Rugalmas modulus	GPA	360 fok	410	240

SiC kerámialap Kérdések és válaszok

K: Milyen tulajdonságai vannak a szilícium-karbid lemeznek?

A： A szilícium-karbid (SiC) lemezek nagy szilárdságukról, keménységükről és hőstabilitásukról ismertek. Kiváló hővezető képességgel és alacsony hőtágulási képességgel rendelkeznek, így megbízható teljesítményt biztosítanak szélsőséges hőmérsékletek mellett is. A SiC kémiailag inert, ellenáll a savaknak, lúgoknak és plazmakörnyezetnek, így ideális félvezető- és LED-feldolgozáshoz. Sűrű, sima felülete minimalizálja a részecskeképződést, így megőrzi a tisztatéri kompatibilitást. A SiC lemezeket széles körben használják ostyahordozóként, szuszceptorként és tartóelemként magas hőmérsékletű és korrozív környezetben a félvezető-, fotovoltaikus- és repülőgépiparban.