SiC szilícium-karbid lapka SiC ostya 4H-N 6H-N HPSI (nagy tisztaságú félszigetelő ) 4H/6H-P 3C -n típusú 2 3 4 6 8 hüvelyk)
Tulajdonságok
4H-N és 6H-N (N-típusú SiC lapkák)
Alkalmazás:Elsősorban teljesítményelektronikában, optoelektronikában és magas hőmérsékletű alkalmazásokban használják.
Átmérő tartomány:50,8 mm és 200 mm között.
Vastagság:350 μm ± 25 μm, választható 500 μm ± 25 μm vastagsággal.
Ellenállás:N-típusú 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-osztály), ≤ 0,3 Ω·cm (P-osztály); N-típusú 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-osztály), ≤ 1 mΩ·cm (P-osztály).
Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm (CMP vagy MP).
Mikrocső sűrűség (MPD):< 1 e/cm².
TTV: ≤ 10 μm minden átmérőnél.
Vetítés: ≤ 30 μm (≤ 45 μm 8 hüvelykes ostyák esetén).
Élek kizárása:3 mm-től 6 mm-ig az ostya típusától függően.
Csomagolás:Több ostya kazetta vagy egy ostyatartó.
Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 6 hüvelyk és 8 hüvelyk
HPSI (nagy tisztaságú félszigetelő SiC lapkák)
Alkalmazás:Nagy ellenállást és stabil teljesítményt igénylő eszközökhöz, például RF eszközökhöz, fotonikus alkalmazásokhoz és érzékelőkhöz használják.
Átmérő tartomány:50,8 mm és 200 mm között.
Vastagság:Szabványos vastagság 350 μm ± 25 μm, vastagabb ostyák 500 μm-ig.
Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm.
Mikrocső sűrűség (MPD): ≤ 1 e/cm².
Ellenállás:Nagy ellenállás, általában félszigetelő alkalmazásokban használatos.
Vetítés: ≤ 30 μm (kisebb méreteknél), ≤ 45 μm nagyobb átmérőnél.
TTV: ≤ 10 μm.
Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 6 hüvelyk és 8 hüvelyk
4H-P、6H-P&3C SiC ostya(P-típusú SiC lapkák)
Alkalmazás:Elsősorban erősáramú és nagyfrekvenciás eszközökhöz.
Átmérő tartomány:50,8 mm és 200 mm között.
Vastagság:350 μm ± 25 μm vagy testreszabott opciók.
Ellenállás:P-típusú 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-osztály), ≤ 0,3 Ω·cm (P-osztály).
Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm (CMP vagy MP).
Mikrocső sűrűség (MPD):< 1 e/cm².
TTV: ≤ 10 μm.
Élek kizárása:3 mm-től 6 mm-ig.
Vetítés: ≤ 30 μm kisebb méreteknél, ≤ 45 μm nagyobb méreteknél.
Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk és 6 hüvelyk5×5 10×10
Részleges adatparaméterek táblázata
Ingatlan | 2 hüvelykes | 3 hüvelykes | 4 hüvelykes | 6 hüvelykes | 8 hüvelykes | |||
Írja be | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | |||
Átmérő | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2±0,3 mm | 100±0,3 mm | 150±0,3mm | 200 ± 0,3 mm | |||
Vastagság | 330 ± 25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | |||
350±25um; | 500±25um | 500±25um | 500±25um | 500±25um | ||||
vagy testreszabott | vagy testreszabott | vagy testreszabott | vagy testreszabott | vagy testreszabott | ||||
Érdesség | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | |||
Warp | ≤ 30 um | ≤ 30 um | ≤ 30 um | ≤ 30 um | ≤45um | |||
TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | |||
Scratch/Dig | CMP/MP | |||||||
MPD | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | |||
Alak | Kerek, lapos 16mm;hossz 22mm ; OF hossza 30/32,5 mm; OF hossza 47,5 mm; BEMETSZÉS; BEMETSZÉS; | |||||||
Ferde | 45°, SEMI Spec; C alak | |||||||
Fokozat | Gyártási fokozat a MOS&SBD-hez; Kutatási fokozat ; Dummy minőségű, Seed wafer minőségű | |||||||
Megjegyzések | Átmérő, vastagság, tájolás, a fenti specifikációk kérésre testreszabhatók |
Alkalmazások
·Teljesítményelektronika
Az N típusú SiC lapkák döntő fontosságúak a nagy teljesítményű elektronikai eszközökben, mivel képesek nagy feszültséget és nagy áramot kezelni. Általában áramátalakítókban, inverterekben és motorhajtásokban használják olyan iparágakban, mint a megújuló energia, az elektromos járművek és az ipari automatizálás.
· Optoelektronika
Az N típusú SiC anyagokat, különösen az optoelektronikai alkalmazásokhoz, olyan eszközökben alkalmazzák, mint a fénykibocsátó diódák (LED) és a lézerdiódák. Nagy hővezető képességük és széles sávszélességük ideálissá teszi a nagy teljesítményű optoelektronikai eszközökhöz.
·Magas hőmérsékletű alkalmazások
A 4H-N 6H-N SiC lapkák jól alkalmazhatók magas hőmérsékletű környezetekben, például a repülőgépiparban, az autóiparban és az ipari alkalmazásokban használt érzékelőkben és teljesítményeszközökben, ahol kritikus a hőelvezetés és a stabilitás magas hőmérsékleten.
·RF eszközök
A 4H-N 6H-N SiC lapkákat olyan rádiófrekvenciás (RF) eszközökben használják, amelyek nagyfrekvenciás tartományban működnek. Kommunikációs rendszerekben, radartechnológiában és műholdas kommunikációban alkalmazzák, ahol nagy energiahatékonyság és teljesítmény szükséges.
·Fotonikus alkalmazások
A fotonikában a SiC lapkákat olyan eszközökhöz használják, mint a fotodetektorok és modulátorok. Az anyag egyedi tulajdonságai lehetővé teszik, hogy hatékony legyen a fénygenerálásban, modulációban és érzékelésben az optikai kommunikációs rendszerekben és képalkotó eszközökben.
·Érzékelők
A SiC lapkákat számos szenzoralkalmazásban használják, különösen zord környezetben, ahol más anyagok meghibásodhatnak. Ide tartoznak a hőmérséklet-, nyomás- és kémiai érzékelők, amelyek elengedhetetlenek olyan területeken, mint az autóipar, az olaj- és gázipar, valamint a környezetfigyelés.
·Elektromos járműhajtási rendszerek
A SiC technológia jelentős szerepet játszik az elektromos járművekben azáltal, hogy javítja a hajtásrendszerek hatékonyságát és teljesítményét. A SiC teljesítmény-félvezetőkkel az elektromos járművek jobb akkumulátor-élettartamot, gyorsabb töltési időt és nagyobb energiahatékonyságot érhetnek el.
·Fejlett érzékelők és fotonikus átalakítók
A fejlett szenzortechnológiákban a SiC lapkákat nagy pontosságú érzékelők létrehozására használják robotikában, orvosi eszközökben és környezetfelügyeletben. A fotonikus konverterekben a SiC tulajdonságait arra használják ki, hogy lehetővé tegyék az elektromos energia hatékony optikai jelekké történő átalakítását, ami létfontosságú a távközlésben és a nagy sebességű internetes infrastruktúrában.
Kérdések és válaszok
Q:Mi az a 4H a 4H SiC-ben?
A:A „4H” a 4H SiC-ben a szilícium-karbid kristályszerkezetére utal, különösen egy négyrétegű hatszögletű formára (H). A "H" a hatszögletű politípus típusát jelzi, megkülönböztetve azt más SiC politípusoktól, mint például a 6H vagy a 3C.
Q: Mi a 4H-SiC hővezető képessége?
A: A 4H-SiC (szilícium-karbid) hővezető képessége körülbelül 490-500 W/m·K szobahőmérsékleten. Ez a nagy hővezető képesség ideálissá teszi a teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz és a magas hőmérsékletű környezetekhez, ahol kulcsfontosságú a hatékony hőelvezetés.