SiC szilícium-karbid lapka SiC ostya 4H-N 6H-N HPSI (nagy tisztaságú félszigetelő ) 4H/6H-P 3C -n típusú 2 3 4 6 8 hüvelyk)

Rövid leírás:

A kiváló minőségű SiC (szilícium-karbid) lapkák széles választékát kínáljuk, különös tekintettel az N-típusú 4H-N és 6H-N lapkákra, amelyek ideálisak a fejlett optoelektronikában, az erőátviteli eszközökben és a magas hőmérsékletű környezetben történő alkalmazásokhoz. . Ezek az N-típusú lapkák kivételes hővezető képességükről, kiemelkedő elektromos stabilitásukról és figyelemreméltó tartósságukról ismertek, így tökéletesek olyan nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, mint például a teljesítményelektronika, az elektromos járművek hajtásrendszerei, a megújuló energia inverterek és az ipari tápegységek. N-típusú kínálatunkon kívül speciális igényekhez P-típusú 4H/6H-P és 3C SiC lapkákat is biztosítunk, beleértve a nagyfrekvenciás és RF eszközöket, valamint a fotonikus alkalmazásokat. Lapjaink 2 hüvelyktől 8 hüvelykig terjedő méretben kaphatók, és személyre szabott megoldásokat kínálunk a különböző ipari szektorok speciális igényeinek kielégítésére. További részletekért vagy kérdésért forduljon hozzánk bizalommal.


Termék részletek

Termékcímkék

Tulajdonságok

4H-N és 6H-N (N-típusú SiC lapkák)

Alkalmazás:Elsősorban teljesítményelektronikában, optoelektronikában és magas hőmérsékletű alkalmazásokban használják.

Átmérő tartomány:50,8 mm és 200 mm között.

Vastagság:350 μm ± 25 μm, választható 500 μm ± 25 μm vastagsággal.

Ellenállás:N-típusú 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-osztály), ≤ 0,3 Ω·cm (P-osztály); N-típusú 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-osztály), ≤ 1 mΩ·cm (P-osztály).

Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm (CMP vagy MP).

Mikrocső sűrűség (MPD):< 1 e/cm².

TTV: ≤ 10 μm minden átmérőnél.

Vetítés: ≤ 30 μm (≤ 45 μm 8 hüvelykes ostyák esetén).

Élek kizárása:3 mm-től 6 mm-ig az ostya típusától függően.

Csomagolás:Több ostya kazetta vagy egy ostyatartó.

Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 6 hüvelyk és 8 hüvelyk

HPSI (nagy tisztaságú félszigetelő SiC lapkák)

Alkalmazás:Nagy ellenállást és stabil teljesítményt igénylő eszközökhöz, például RF eszközökhöz, fotonikus alkalmazásokhoz és érzékelőkhöz használják.

Átmérő tartomány:50,8 mm és 200 mm között.

Vastagság:Szabványos vastagság 350 μm ± 25 μm, vastagabb ostyák 500 μm-ig.

Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikrocső sűrűség (MPD): ≤ 1 e/cm².

Ellenállás:Nagy ellenállás, általában félszigetelő alkalmazásokban használatos.

Vetítés: ≤ 30 μm (kisebb méreteknél), ≤ 45 μm nagyobb átmérőnél.

TTV: ≤ 10 μm.

Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 6 hüvelyk és 8 hüvelyk

4H-P6H-P&3C SiC ostya(P-típusú SiC lapkák)

Alkalmazás:Elsősorban erősáramú és nagyfrekvenciás eszközökhöz.

Átmérő tartomány:50,8 mm és 200 mm között.

Vastagság:350 μm ± 25 μm vagy testreszabott opciók.

Ellenállás:P-típusú 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-osztály), ≤ 0,3 Ω·cm (P-osztály).

Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm (CMP vagy MP).

Mikrocső sűrűség (MPD):< 1 e/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Élek kizárása:3 mm-től 6 mm-ig.

Vetítés: ≤ 30 μm kisebb méreteknél, ≤ 45 μm nagyobb méreteknél.

Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk és 6 hüvelyk5×5 10×10

Részleges adatparaméterek táblázata

Ingatlan

2 hüvelykes

3 hüvelykes

4 hüvelykes

6 hüvelykes

8 hüvelykes

Írja be

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Átmérő

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3mm

200 ± 0,3 mm

Vastagság

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

vagy testreszabott

vagy testreszabott

vagy testreszabott

vagy testreszabott

vagy testreszabott

Érdesség

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Warp

≤ 30 um

≤ 30 um

≤ 30 um

≤ 30 um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Scratch/Dig

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Alak

Kerek, lapos 16mm;hossz 22mm ; OF hossza 30/32,5 mm; OF hossza 47,5 mm; BEMETSZÉS; BEMETSZÉS;

Ferde

45°, SEMI Spec; C alak

 Fokozat

Gyártási fokozat a MOS&SBD-hez; Kutatási fokozat ; Dummy minőségű, Seed wafer minőségű

Megjegyzések

Átmérő, vastagság, tájolás, a fenti specifikációk kérésre testreszabhatók

 

Alkalmazások

·Teljesítményelektronika

Az N típusú SiC lapkák döntő fontosságúak a nagy teljesítményű elektronikai eszközökben, mivel képesek nagy feszültséget és nagy áramot kezelni. Általában áramátalakítókban, inverterekben és motorhajtásokban használják olyan iparágakban, mint a megújuló energia, az elektromos járművek és az ipari automatizálás.

· Optoelektronika
Az N típusú SiC anyagokat, különösen az optoelektronikai alkalmazásokhoz, olyan eszközökben alkalmazzák, mint a fénykibocsátó diódák (LED) és a lézerdiódák. Nagy hővezető képességük és széles sávszélességük ideálissá teszi a nagy teljesítményű optoelektronikai eszközökhöz.

·Magas hőmérsékletű alkalmazások
A 4H-N 6H-N SiC lapkák jól alkalmazhatók magas hőmérsékletű környezetekben, például a repülőgépiparban, az autóiparban és az ipari alkalmazásokban használt érzékelőkben és teljesítményeszközökben, ahol kritikus a hőelvezetés és a stabilitás magas hőmérsékleten.

·RF eszközök
A 4H-N 6H-N SiC lapkákat olyan rádiófrekvenciás (RF) eszközökben használják, amelyek nagyfrekvenciás tartományban működnek. Kommunikációs rendszerekben, radartechnológiában és műholdas kommunikációban alkalmazzák, ahol nagy energiahatékonyság és teljesítmény szükséges.

·Fotonikus alkalmazások
A fotonikában a SiC lapkákat olyan eszközökhöz használják, mint a fotodetektorok és modulátorok. Az anyag egyedi tulajdonságai lehetővé teszik, hogy hatékony legyen a fénygenerálásban, modulációban és érzékelésben az optikai kommunikációs rendszerekben és képalkotó eszközökben.

·Érzékelők
A SiC lapkákat számos szenzoralkalmazásban használják, különösen zord környezetben, ahol más anyagok meghibásodhatnak. Ide tartoznak a hőmérséklet-, nyomás- és kémiai érzékelők, amelyek elengedhetetlenek olyan területeken, mint az autóipar, az olaj- és gázipar, valamint a környezetfigyelés.

·Elektromos járműhajtási rendszerek
A SiC technológia jelentős szerepet játszik az elektromos járművekben azáltal, hogy javítja a hajtásrendszerek hatékonyságát és teljesítményét. A SiC teljesítmény-félvezetőkkel az elektromos járművek jobb akkumulátor-élettartamot, gyorsabb töltési időt és nagyobb energiahatékonyságot érhetnek el.

·Fejlett érzékelők és fotonikus átalakítók
A fejlett szenzortechnológiákban a SiC lapkákat nagy pontosságú érzékelők létrehozására használják robotikában, orvosi eszközökben és környezetfelügyeletben. A fotonikus konverterekben a SiC tulajdonságait arra használják ki, hogy lehetővé tegyék az elektromos energia hatékony optikai jelekké történő átalakítását, ami létfontosságú a távközlésben és a nagy sebességű internetes infrastruktúrában.

Kérdések és válaszok

Q:Mi az a 4H a 4H SiC-ben?
A:A „4H” a 4H SiC-ben a szilícium-karbid kristályszerkezetére utal, különösen egy négyrétegű hatszögletű formára (H). A "H" a hatszögletű politípus típusát jelzi, megkülönböztetve azt más SiC politípusoktól, mint például a 6H vagy a 3C.

Q: Mi a 4H-SiC hővezető képessége?
A: A 4H-SiC (szilícium-karbid) hővezető képessége körülbelül 490-500 W/m·K szobahőmérsékleten. Ez a nagy hővezető képesség ideálissá teszi a teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz és a magas hőmérsékletű környezetekhez, ahol kulcsfontosságú a hatékony hőelvezetés.


  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk