SiC ostya 4H-N 6H-N HPSI 4H-félig 6H-félig 4H-P 6H-P 3C típusú 2 hüvelyk 3 hüvelyk 4 hüvelyk 6 hüvelyk 8 hüvelyk

SiC ostya 4H-N 6H-N HPSI 4H-félig 6H-félig 4H-P 6H-P 3C típusú 2 hüvelykes 3 hüvelykes 4 hüvelykes 6 hüvelykes 8 hüvelykes Kiemelt kép

Rövid leírás:

Széles választékban kínálunk kiváló minőségű SiC (szilícium-karbid) ostyákat, különös tekintettel az N-típusú 4H-N és 6H-N ostyákra, amelyek ideálisak fejlett optoelektronikai, teljesítményeszközök és magas hőmérsékletű környezetek számára. Ezek az N-típusú ostyák kivételes hővezető képességükről, kiemelkedő elektromos stabilitásukról és figyelemre méltó tartósságukról ismertek, így tökéletesek nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, mint például teljesítményelektronika, elektromos járműhajtásrendszerek, megújuló energia inverterek és ipari tápegységek. Az N-típusú kínálatunk mellett P-típusú 4H/6H-P és 3C SiC ostyákat is kínálunk speciális igényekhez, beleértve a nagyfrekvenciás és RF eszközöket, valamint a fotonikus alkalmazásokat. Ostyáink 2 hüvelyktől 8 hüvelykig terjedő méretekben kaphatók, és testreszabott megoldásokat kínálunk a különböző ipari szektorok speciális igényeinek kielégítésére. További részletekért vagy érdeklődésért kérjük, forduljon hozzánk bizalommal.

Küldjön nekünk e-mailt

Jellemzők

Tulajdonságok

4H-N és 6H-N (N típusú SiC szeletek)

Alkalmazás:Elsősorban teljesítményelektronikában, optoelektronikában és magas hőmérsékletű alkalmazásokban használják.

Átmérő tartomány:50,8 mm-től 200 mm-ig.

Vastagság:350 μm ± 25 μm, opcionálisan 500 μm ± 25 μm vastagsággal.

Ellenállás:N-típusú 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-minőség), ≤ 0,3 Ω·cm (P-minőség); N-típusú 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-minőség), ≤ 1 mΩ·cm (P-minőség).

Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm (CMP vagy MP).

Mikrocső sűrűsége (MPD):< 1 db/cm².

TTV: ≤ 10 μm minden átmérő esetében.

Vetítés: ≤ 30 μm (≤ 45 μm 8 hüvelykes ostyák esetén).

Él kizárása:3 mm-től 6 mm-ig, a lapka típusától függően.

Csomagolás:Többszörös ostya kazetta vagy egyetlen ostya tartály.

Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 6 hüvelyk, 8 hüvelyk

HPSI (nagy tisztaságú félszigetelő SiC ostyák)

Alkalmazás:Nagy ellenállást és stabil teljesítményt igénylő eszközökhöz használják, például RF eszközökhöz, fotonikus alkalmazásokhoz és érzékelőkhöz.

Átmérő tartomány:50,8 mm-től 200 mm-ig.

Vastagság:Standard vastagság 350 μm ± 25 μm, opcióként akár 500 μm vastagabb ostyákhoz is.

Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikrocső sűrűsége (MPD): ≤ 1 db/cm².

Ellenállás:Nagy ellenállás, jellemzően félszigetelő alkalmazásokban használják.

Vetítés: ≤ 30 μm (kisebb méretek esetén), ≤ 45 μm nagyobb átmérők esetén.

TTV: ≤ 10 μm.

Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 6 hüvelyk, 8 hüvelyk

4H-P、6H-P&3C SiC ostya(P-típusú SiC szeletek)

Alkalmazás:Elsősorban nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás eszközökhöz.

Átmérő tartomány:50,8 mm-től 200 mm-ig.

Vastagság:350 μm ± 25 μm vagy egyedi opciók.

Ellenállás:P-típusú 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-minőség), ≤ 0,3 Ω·cm (P-minőség).

Érdesség:Ra ≤ 0,2 nm (CMP vagy MP).

Mikrocső sűrűsége (MPD):< 1 db/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Él kizárása:3 mm-től 6 mm-ig.

Vetítés: ≤ 30 μm kisebb méreteknél, ≤ 45 μm nagyobb méreteknél.

Egyéb elérhető méretek: 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 6 hüvelyk5×5 10×10

Részleges adatparaméterek táblázata

Ingatlan	2 hüvelyk		3 hüvelyk		4 hüvelykes	6 hüvelyk	8 hüvelyk
Típus	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Átmérő	50,8 ± 0,3 mm		76,2±0,3 mm		100±0,3 mm	150±0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Vastagság	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350±25µm；		500±25 µm		500±25 µm	500±25 µm	500±25 µm
	vagy testreszabott		vagy testreszabott		vagy testreszabott	vagy testreszabott	vagy testreszabott
Érdesség	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Warp	≤ 30 μm		≤ 30 μm		≤ 30 μm	≤ 30 μm	≤45 μm
TTV	≤ 10 μm		≤ 10 μm		≤ 10 μm	≤ 10 μm	≤ 10 μm
Kapaszkodj/áss	CMP/MP
MPD	<1 db/cm²	<1 db/cm²		<1 db/cm²		<1 db/cm²		<1 db/cm²
Alak	Kerek, lapos 16 mm; OF hossza 22 mm; OF hossza 30/32,5 mm; OF hossza 47,5 mm; BEHAJTÁS; BEHAJTÁS;
Fazetta	45°, SEMI specifikáció; C alakú
Fokozat	MOS és SBD gyártási minőségű; Kutatási minőségű; Dummy minőségű, Seed ostya minőségű
Megjegyzések	Átmérő, vastagság, tájolás, a fenti specifikációk kérésre testreszabhatók

Alkalmazások

·Teljesítményelektronika

Az N típusú SiC szeletek kulcsfontosságúak az erősáramú elektronikai eszközökben, mivel képesek kezelni a nagy feszültséget és a nagy áramerősséget. Általában teljesítményátalakítókban, inverterekben és motormeghajtásokban használják őket olyan iparágakban, mint a megújuló energia, az elektromos járművek és az ipari automatizálás.

· Optoelektronika
Az N típusú SiC anyagokat, különösen optoelektronikai alkalmazásokhoz, olyan eszközökben alkalmazzák, mint a fénykibocsátó diódák (LED-ek) és a lézerdiódák. Magas hővezető képességük és széles tiltott sávjuk ideálissá teszi őket nagy teljesítményű optoelektronikai eszközökhöz.

·Magas hőmérsékletű alkalmazások
A 4H-N 6H-N SiC ostyák jól alkalmazhatók magas hőmérsékletű környezetekben, például érzékelőkben és teljesítményeszközökben, amelyeket repülőgépiparban, autóiparban és ipari alkalmazásokban használnak, ahol a hőelvezetés és a stabilitás magas hőmérsékleten kritikus fontosságú.

·RF eszközök
A 4H-N 6H-N SiC szeleteket nagyfrekvenciás tartományban működő rádiófrekvenciás (RF) eszközökben használják. Kommunikációs rendszerekben, radartechnikában és műholdas kommunikációban alkalmazzák őket, ahol nagy energiahatékonyságra és teljesítményre van szükség.

·Fotonikus alkalmazások
A fotonikában a SiC lapkákat olyan eszközökben használják, mint a fotodetektorok és modulátorok. Az anyag egyedi tulajdonságai lehetővé teszik, hogy hatékonyan alkalmazzák a fény előállításában, modulációjában és detektálásában optikai kommunikációs rendszerekben és képalkotó eszközökben.

·érzékelők
A SiC lapkákat különféle érzékelőalkalmazásokban használják, különösen olyan zord környezetben, ahol más anyagok meghibásodhatnak. Ilyenek például a hőmérséklet-, nyomás- és kémiai érzékelők, amelyek elengedhetetlenek olyan területeken, mint az autóipar, az olaj- és gázipar, valamint a környezeti monitorozás.

·Elektromos járműhajtási rendszerek
A SiC technológia jelentős szerepet játszik az elektromos járművekben azáltal, hogy javítja a hajtásrendszerek hatékonyságát és teljesítményét. A SiC teljesítmény-félvezetőkkel az elektromos járművek jobb akkumulátor-élettartamot, gyorsabb töltési időket és nagyobb energiahatékonyságot érhetnek el.

·Fejlett érzékelők és fotonikus átalakítók
A fejlett érzékelőtechnológiákban a SiC lapkákat nagy pontosságú érzékelők létrehozására használják robotikai, orvosi eszközök és környezeti monitoring alkalmazásokhoz. A fotonikus átalakítókban a SiC tulajdonságait kihasználva lehetővé teszik az elektromos energia hatékony optikai jelekké alakítását, ami létfontosságú a telekommunikációban és a nagy sebességű internetes infrastruktúrában.

Kérdések és válaszok

QMi a 4H a 4H SiC-ben?
AA 4H SiC-ben a „4H” a szilícium-karbid kristályszerkezetére utal, konkrétan egy négyrétegű (H) hatszögletű formára. A „H” a hatszögletű politípus típusát jelzi, megkülönböztetve azt más SiC politípusoktól, például a 6H-tól vagy a 3C-től.

QMekkora a 4H-SiC hővezető képessége?
AA 4H-SiC (szilícium-karbid) hővezető képessége szobahőmérsékleten körülbelül 490-500 W/m·K. Ez a magas hővezető képesség ideálissá teszi teljesítményelektronikában és magas hőmérsékletű környezetben való alkalmazásokhoz, ahol a hatékony hőelvezetés kulcsfontosságú.

Előző: Zafírcső precíziós gyártású átlátszó cső Al2O3 kristály kopásálló, nagy keménységű EFG/KY különböző átmérőjű polírozás egyedi

Következő: 2 hüvelykes, egylapos kazettás ostyadoboz anyaga: PP vagy PC. Érmemegoldásokban használatos: 1 hüvelyk, 3 hüvelyk, 4 hüvelyk, 5 hüvelyk, 6 hüvelyk, 12 hüvelyk. Kaphatóak.