3 hüvelykes Dia76,2 mm-es SiC szubsztrátumok HPSI Prime Research és Dummy minőségű

Vezetőképes hordozó: a 15 ~ 30 mΩ-cm-es szilícium-karbid hordozó ellenállására vonatkozik.A vezetőképes szilícium-karbid szubsztrátumból előállított szilícium-karbid epitaxiális lapka tovább alakítható erőgépekké, amelyeket széles körben alkalmaznak az új energetikai járművekben, a fotovoltaikában, az intelligens hálózatokban és a vasúti közlekedésben.

A félig szigetelő szubsztrát a 100 000 Ω-cm-nél nagyobb ellenállásra utal, elsősorban gallium-nitrid mikrohullámú rádiófrekvenciás eszközök gyártásához használt szilícium-karbid hordozó, amely a vezeték nélküli kommunikációs mező alapja.

Alapvető elem a vezeték nélküli kommunikáció területén.

A szilícium-karbid vezetőképes és félszigetelő szubsztrátokat elektronikus eszközök és tápegységek széles skálájában használják, beleértve, de nem kizárólagosan a következőket:

Nagy teljesítményű félvezető eszközök (vezetőképes): A szilícium-karbid szubsztrátumok nagy áttörési térerősséggel és hővezető képességgel rendelkeznek, és alkalmasak nagy teljesítményű tranzisztorok és diódák és egyéb eszközök gyártására.

RF elektronikus eszközök (félig szigetelt): A szilícium-karbid hordozók nagy kapcsolási sebességgel és teljesítménytűréssel rendelkeznek, így alkalmasak olyan alkalmazásokhoz, mint az RF teljesítményerősítők, mikrohullámú készülékek és nagyfrekvenciás kapcsolók.

Optoelektronikai eszközök (félig szigetelt): A szilícium-karbid szubsztrátumok nagy energiaréssel és magas hőstabilitásúak, alkalmasak fotodiódák, napelemek és lézerdiódák és egyéb eszközök készítésére.

Hőmérséklet-érzékelők (vezetőképes): A szilícium-karbid szubsztrátumok magas hővezető képességgel és hőstabilitással rendelkeznek, alkalmasak magas hőmérsékletű érzékelők és hőmérsékletmérő műszerek gyártására.

A szilícium-karbid vezetőképes és félszigetelő szubsztrátumok gyártási folyamata és alkalmazása széles területtel és potenciállal rendelkezik, új lehetőségeket biztosítva az elektronikai eszközök és az erősáramú eszközök fejlesztéséhez.