200 mm-es 8 hüvelykes GaN zafír Epi-rétegű ostya hordozón
Termékbevezetés
A 8 hüvelykes GaN-on-Sapphire szubsztrát egy kiváló minőségű félvezető anyag, amely egy zafír szubsztrátra növesztett gallium-nitrid (GaN) rétegből áll. Ez az anyag kiváló elektronikus transzport tulajdonságokkal rendelkezik, és ideális nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás félvezető eszközök gyártásához.
Gyártási módszer
A gyártási folyamat magában foglalja egy GaN réteg epitaxiális növesztését egy zafír hordozóra olyan fejlett technikák alkalmazásával, mint a fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztás (MOCVD) vagy a molekulasugaras epitaxia (MBE). A leválasztást ellenőrzött körülmények között végzik a magas kristályminőség és a film egyenletességének biztosítása érdekében.
Alkalmazások
A 8 hüvelykes GaN-on-Sapphire hordozó széles körben alkalmazható különféle területeken, beleértve a mikrohullámú kommunikációt, a radarrendszereket, a vezeték nélküli technológiát és az optoelektronikát. Néhány gyakori alkalmazási terület:
1. RF teljesítményerősítők
2. LED világítástechnikai iparág
3. Vezeték nélküli hálózati kommunikációs eszközök
4. Magas hőmérsékletű környezethez használt elektronikus eszközök
5. Optoelektronikai eszközök
Termékspecifikációk
-Méret: Az aljzat átmérője 8 hüvelyk (200 mm).
- Felületi minőség: A felület magas fokú simaságra polírozott és kiváló tükörsima minőséget mutat.
- Vastagság: A GaN réteg vastagsága az adott igényeknek megfelelően testreszabható.
- Csomagolás: Az aljzatot gondosan antisztatikus anyagokba csomagolják, hogy elkerüljék a szállítás közbeni sérüléseket.
- Sík orientáció: Az aljzatnak van egy speciális sík orientációja, amely segíti a lapka beállítását és kezelését az eszközgyártási folyamatok során.
- Egyéb paraméterek: A vastagság, az ellenállás és az adalékanyag-koncentráció sajátosságai az ügyfél igényei szerint testreszabhatók.
Kiváló anyagtulajdonságainak és sokoldalú alkalmazási lehetőségeinek köszönhetően a 8 hüvelykes GaN-on-Sapphire hordozó megbízható választás nagy teljesítményű félvezető eszközök fejlesztéséhez különböző iparágakban.
A GaN-On-Sapphire mellett az erőeszközök területén is kínálunk termékeket, termékcsaládunk 8 hüvelykes AlGaN/GaN-on-Si epitaxiális lapkákat és 8 hüvelykes P-kondenzátoros AlGaN/GaN-on-Si epitaxiális lapkákat tartalmaz. Ezzel egy időben bevezettük saját fejlett 8 hüvelykes GaN epitaxiális technológiánk alkalmazását a mikrohullámú sütők területén, és kifejlesztettünk egy 8 hüvelykes AlGaN/GAN-on-HR Si epitaxiális lapkát, amely a nagy teljesítményt nagy mérettel, alacsony költséggel és a szabványos 8 hüvelykes eszközfeldolgozással való kompatibilitással ötvözi. A szilíciumalapú gallium-nitrid mellett AlGaN/GaN-on-SiC epitaxiális lapkák termékcsaládjával is rendelkezünk, hogy kielégítsük az ügyfelek szilíciumalapú gallium-nitrid epitaxiális anyagok iránti igényeit.
Részletes ábra
