4H-félig HPSI 2 hüvelykes SiC szubsztrát ostya Production Dummy Research minőségű

4H-félig HPSI 2 hüvelykes SiC szubsztrát lapka Gyártás Dummy Research minőségű Kiemelt kép

Rövid leírás:

A 2 hüvelykes szilícium-karbid egykristály szubsztrát ostya egy nagy teljesítményű anyag kiemelkedő fizikai és kémiai tulajdonságokkal.Nagy tisztaságú szilícium-karbid egykristály anyagból készül, kiváló hővezető képességgel, mechanikai stabilitással és magas hőmérséklettel szemben.A nagy pontosságú előkészítési folyamatnak és a kiváló minőségű anyagoknak köszönhetően ez a chip az egyik előnyben részesített anyag a nagy teljesítményű elektronikai eszközök elkészítéséhez számos területen.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék leírás

Termékcímkék

Félig szigetelő szilícium-karbid hordozó SiC lapkák

A szilícium-karbid szubsztrát főként vezetőképes és félszigetelő típusra oszlik, a vezetőképes szilícium-karbid hordozót n-típusú szubsztrátumra főként epitaxiális GaN-alapú LED-es és egyéb optoelektronikai eszközökhöz, SiC-alapú teljesítményelektronikai eszközökhöz stb., valamint félig A szigetelő SiC szilícium-karbid hordozót főként GaN nagy teljesítményű rádiófrekvenciás eszközök epitaxiális gyártásához használják.Ezen kívül nagy tisztaságú félszigetelő HPSI és SI félszigetelő különböző, nagy tisztaságú félszigetelő hordozó koncentrációja 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 tartományban, nagy elektronmobilitással;A félszigetelő egy nagy ellenállású anyagok, az ellenállás nagyon magas, általában mikrohullámú készülékekhez használják, nem vezetőképes.

Félig szigetelő szilícium-karbid hordozólemez SiC ostya

A SiC kristályszerkezete határozza meg a fizikai tulajdonságait, a SiC-hoz és GaAs-hoz viszonyítva, a SiC a fizikai tulajdonságait illeti;a tiltott sávszélesség nagy, közel 3-szor akkora, mint az Sié, hogy a készülék magas hőmérsékleten is működjön a hosszú távú megbízhatóság mellett;A letörési térerősség nagy, 10-szerese a Si-énak, hogy biztosítsa az eszköz feszültségkapacitását, javítsa az eszköz feszültségértékét;a telítési elektron sebessége nagy, kétszerese a Si-énak, hogy növelje az eszköz frekvenciáját és teljesítménysűrűségét;hővezető képessége magas, több mint Si, a hővezető képesség magas, a hővezető képesség magas, a hővezető képesség magas, a hővezető képesség magas, több, mint a Si, a hővezető képesség magas, a hővezető képesség magas.Nagy hővezető képesség, több mint 3-szorosa a Si-nek, növelve a készülék hőleadó képességét és megvalósítva a készülék miniatürizálását.