Szilícium-szigetelő szubsztrát SOI lapka háromrétegű mikroelektronikához és rádiófrekvenciához

Szilícium-szigetelő szubsztrát SOI lapka három rétegben a mikroelektronikához és a rádiófrekvenciás kiemelt képhez

Rövid leírás:

SOI teljes neve Silicon On Insulator, a jelentése a szilícium tranzisztor szerkezete a szigetelő tetején, az elv a szilícium tranzisztor között van, adjunk hozzá szigetelőanyagot, és a kettő közötti parazita kapacitás kevesebb, mint kétszerese.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék leírás

Termékcímkék

Az ostyadoboz bemutatása

Bemutatjuk fejlett szilícium-szigetelő (SOI) lapkánkat, amelyet aprólékosan megtervezett három különálló réteggel, forradalmasítja a mikroelektronikai és rádiófrekvenciás (RF) alkalmazásokat.Ez az innovatív hordozó egy felső szilíciumréteget, egy szigetelő oxidréteget és egy alsó szilícium hordozót kombinál, hogy páratlan teljesítményt és sokoldalúságot biztosítson.

A modern mikroelektronika igényeihez tervezett SOI lapkánk szilárd alapot biztosít bonyolult integrált áramkörök (IC-k) gyártásához, kiemelkedő sebességgel, energiahatékonysággal és megbízhatósággal.A felső szilíciumréteg lehetővé teszi az összetett elektronikus alkatrészek zökkenőmentes integrációját, míg a szigetelő oxidréteg minimalizálja a parazita kapacitást, javítva az eszköz általános teljesítményét.

A rádiófrekvenciás alkalmazások területén a SOI lapkánk kitűnik alacsony parazita kapacitásával, nagy áttörési feszültségével és kiváló szigetelési tulajdonságaival.Ideális rádiófrekvenciás kapcsolókhoz, erősítőkhöz, szűrőkhöz és egyéb RF alkatrészekhez, ez a hordozó optimális teljesítményt biztosít vezeték nélküli kommunikációs rendszerekben, radarrendszerekben stb.

Ezen túlmenően, SOI lapkánk sugárzástűrő képessége ideálissá teszi a repülési és védelmi alkalmazásokhoz, ahol kritikus a megbízhatóság zord környezetben.Robusztus felépítése és kivételes teljesítményjellemzői garantálják az egyenletes működést extrém körülmények között is.

Főbb jellemzők:

Háromrétegű felépítés: felső szilíciumréteg, szigetelő oxidréteg és alsó szilícium hordozó.

Kiváló mikroelektronikai teljesítmény: Lehetővé teszi fejlett IC-k gyártását megnövelt sebességgel és energiahatékonysággal.

Kiváló rádiófrekvenciás teljesítmény: Alacsony parazita kapacitás, nagy áttörési feszültség és kiváló szigetelési tulajdonságok az RF eszközök számára.

Repülési szintű megbízhatóság: Az eredendő sugárzástűrés biztosítja a megbízhatóságot zord környezetben is.

Sokoldalú alkalmazások: Alkalmas számos iparághoz, beleértve a távközlést, a repülést, a védelmet és még sok mást.

Tapasztalja meg a mikroelektronika és az RF technológia következő generációját fejlett szilícium-szigetelő (SOI) lapkánkkal.A legmodernebb hordozómegoldásunkkal tárjon fel új innovációs lehetőségeket, és ösztönözze az alkalmazások előrehaladását.