SOI szelet szigetelő szilícium 8 hüvelykes és 6 hüvelykes SOI (Silicon-On-Insulator) ostyákon

Rövid leírás:

A három különálló rétegből álló Silicon-On-Insulator (SOI) lapka a mikroelektronika és a rádiófrekvenciás (RF) alkalmazások sarokköveként jelenik meg.Ez az absztrakt megvilágítja ennek az innovatív hordozónak a kulcsfontosságú jellemzőit és változatos alkalmazásait.


Termék leírás

Termékcímkék

Az ostyadoboz bemutatása

A felső szilíciumrétegből, egy szigetelő oxidrétegből és egy alsó szilícium hordozóból álló háromrétegű SOI lapka páratlan előnyöket kínál a mikroelektronikában és az RF tartományokban.A felső szilíciumréteg, amely kiváló minőségű kristályos szilíciumot tartalmaz, megkönnyíti a bonyolult elektronikus alkatrészek pontos és hatékony integrálását.A szigetelő oxidréteg, amelyet aprólékosan úgy alakítottak ki, hogy minimalizálja a parazita kapacitást, növeli az eszköz teljesítményét a nem kívánt elektromos interferencia csökkentésével.Az alsó szilícium szubsztrát mechanikai támaszt nyújt, és biztosítja a kompatibilitást a meglévő szilíciumfeldolgozási technológiákkal.

A mikroelektronikában a SOI lapka alapjául szolgál a fejlett integrált áramkörök (IC-k) gyártásához, amelyek kiemelkedő sebességgel, energiahatékonysággal és megbízhatósággal rendelkeznek.Háromrétegű architektúrája lehetővé teszi olyan összetett félvezető eszközök fejlesztését, mint a CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) IC, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) és tápegységek.

A rádiófrekvenciás tartományban a SOI wafer figyelemre méltó teljesítményt mutat az RF eszközök és rendszerek tervezésében és megvalósításában.Alacsony parazita kapacitása, nagy áttörési feszültsége és kiváló szigetelési tulajdonságai ideális hordozóvá teszik RF kapcsolók, erősítők, szűrők és egyéb RF alkatrészek számára.Ezen túlmenően, a SOI lapka eredendő sugárzástűrő képessége alkalmassá teszi repülési és védelmi alkalmazásokhoz, ahol a megbízhatóság a zord környezetben a legfontosabb.

Ezenkívül a SOI szelet sokoldalúsága kiterjed az olyan feltörekvő technológiákra is, mint például a fotonikus integrált áramkörök (PIC), ahol az optikai és elektronikus alkatrészek egyetlen hordozóra történő integrálása ígéretet jelent a következő generációs távközlési és adatkommunikációs rendszerek számára.

Összefoglalva, a háromrétegű Silicon-On-Insulator (SOI) lapka a mikroelektronikai és rádiófrekvenciás alkalmazások innovációjának élvonalában áll.Egyedülálló architektúrája és kivételes teljesítményjellemzői utat nyitnak a különböző iparágakban történő előrelépések előtt, elősegítik a fejlődést és alakítják a technológia jövőjét.

Részletes diagram

asd (1)
asd (2)

  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk