SOI ostyaszigetelő szilícium 8 hüvelykes és 6 hüvelykes SOI (Silicon-On-Insulator) ostyákon

Rövid leírás:

A három különálló rétegből álló szilícium-szigetelő (SOI) lapka a mikroelektronika és a rádiófrekvenciás (RF) alkalmazások sarokkövévé válik. Ez az absztrakt ismerteti ennek az innovatív hordozónak a kulcsfontosságú jellemzőit és sokrétű alkalmazásait.


Termék részletei

Termékcímkék

Ostyadoboz bevezetése

A felső szilíciumrétegből, egy szigetelő oxid rétegből és egy alsó szilícium hordozóból álló háromrétegű SOI ostya páratlan előnyöket kínál a mikroelektronika és az RF területeken. A kiváló minőségű kristályos szilíciumot tartalmazó felső szilícium réteg megkönnyíti a bonyolult elektronikus alkatrészek precíz és hatékony integrációját. A parazita kapacitás minimalizálása érdekében aprólékosan megtervezett szigetelő oxid réteg a nem kívánt elektromos interferencia mérséklésével javítja az eszköz teljesítményét. Az alsó szilícium hordozó mechanikai támaszt nyújt, és biztosítja a kompatibilitást a meglévő szilícium-feldolgozási technológiákkal.

A mikroelektronikában az SOI szelet alapot képez a fejlett integrált áramkörök (IC-k) gyártásához, amelyek kiváló sebességgel, energiahatékonysággal és megbízhatósággal rendelkeznek. Háromrétegű architektúrája lehetővé teszi összetett félvezető eszközök, például CMOS (kiegészítő fém-oxid félvezető) IC-k, MEMS (mikro-elektromechanikus rendszerek) és teljesítményeszközök fejlesztését.

Az RF területen a SOI szelet figyelemre méltó teljesítményt mutat az RF eszközök és rendszerek tervezése és megvalósítása során. Alacsony parazita kapacitása, magas átütési feszültsége és kiváló szigetelő tulajdonságai ideális hordozóvá teszik RF kapcsolókhoz, erősítőkhöz, szűrőkhöz és más RF alkatrészekhez. Ezenkívül a SOI szelet inherens sugárzástűrése alkalmassá teszi repülőgépipari és védelmi alkalmazásokhoz, ahol a megbízhatóság a zord környezetben kiemelkedő fontosságú.

Továbbá az SOI ostya sokoldalúsága kiterjed az olyan új technológiákra is, mint a fotonikus integrált áramkörök (PIC-ek), ahol az optikai és elektronikus alkatrészek egyetlen hordozóra történő integrálása ígéretes a következő generációs telekommunikációs és adatkommunikációs rendszerek számára.

Összefoglalva, a háromrétegű szilícium-szigetelőn (SOI) alapuló ostya az innováció élvonalát képviseli a mikroelektronikai és rádiófrekvenciás alkalmazásokban. Egyedi architektúrája és kivételes teljesítményjellemzői utat nyitnak a különböző iparágakban a fejlődés előtt, előmozdítva a fejlődést és alakítva a technológia jövőjét.

Részletes ábra

asd (1)
asd (2)

  • Előző:
  • Következő:

  • Írd ide az üzenetedet, és küldd el nekünk