3 hüvelykes nagy tisztaságú (adalékolatlan) szilícium-karbid ostyák félig szigetelő szilícium-szubsztrátok (HPSl)

3 hüvelykes nagy tisztaságú (adalékolatlan) szilícium-karbid ostyák félig szigetelő szilícium-szubsztrátumok (HPSl) Kiemelt kép

Rövid leírás:

A 3 hüvelykes, nagy tisztaságú, félig szigetelő (HPSI) szilícium-karbid (SiC) szelet egy prémium minőségű hordozó, amelyet nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és optoelektronikai alkalmazásokhoz optimalizáltak. Adalékolatlan, nagy tisztaságú 4H-SiC anyagból gyártva ezek a szeletek kiváló hővezető képességgel, széles tiltott sávval és kivételes félig szigetelő tulajdonságokkal rendelkeznek, így nélkülözhetetlenek a fejlett eszközfejlesztéshez. Kiváló szerkezeti integritásával és felületi minőségével a HPSI SiC hordozók a következő generációs technológiák alapját képezik az erősáramú elektronika, a telekommunikáció és a repülőgépipar területén, támogatva az innovációt a különböző területeken.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Termékcímkék

Tulajdonságok

1. Fizikai és szerkezeti tulajdonságok
●Anyagtípus: Nagy tisztaságú (adalékolatlan) szilícium-karbid (SiC)
●Átmérő: 76,2 mm (3 hüvelyk)
●Vastagság: 0,33-0,5 mm, az alkalmazási követelményeknek megfelelően testreszabható.
●Kristályszerkezet: 4H-SiC politípus hatszögletű ráccsal, amely nagy elektronmobilitásáról és termikus stabilitásáról ismert.
●Tájolás:
oStandard: [0001] (C-sík), széles körű alkalmazásokhoz alkalmas.
oOpcionális: Tengelyen kívüli (4° vagy 8° dőlés) az eszköz rétegeinek fokozott epitaxiális növekedéséhez.
●Síkfelület: Teljes vastagságváltozás (TTV) ●Felületi minőség:
oAlacsony hibasűrűségűre polírozva (<10/cm² mikrocső-sűrűség). 2. Elektromos tulajdonságok ●Feszültség: >109^99 Ω·cm, amelyet a szándékosan hozzáadott adalékanyagok eltávolításával tartanak fenn.
● Dielektromos szilárdság: Nagy feszültségállóság minimális dielektromos veszteséggel, ideális nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
●Hővezető képesség: 3,5-4,9 W/cm·K, ami lehetővé teszi a hatékony hőelvezetést a nagy teljesítményű eszközökben.

3. Termikus és mechanikai tulajdonságok
● Széles tiltott sáv: 3,26 eV, amely nagyfeszültség, magas hőmérséklet és magas sugárzási körülmények között is működik.
●Keménység: Mohs-skála 9, amely biztosítja a mechanikai kopással szembeni ellenállást a feldolgozás során.
●Hőtágulási együttható: 4,2×10−6/K4,2 × 10^{-6}/K4,2×10−6/K, ami biztosítja a méretstabilitást a hőmérséklet-változások alatt.

Paraméter	Termelési fokozat	Kutatási fokozat	Dummy fokozat	Egység
Fokozat	Termelési fokozat	Kutatási fokozat	Dummy fokozat
Átmérő	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Vastagság	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Ostya orientáció	Tengelyre merőlegesen: <0001> ± 0,5°	Tengelyre merőlegesen: <0001> ± 2,0°	Tengelyre merőlegesen: <0001> ± 2,0°	fokozat
Mikrocső sűrűsége (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Elektromos ellenállás	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Adalékanyag	Adalékolatlan	Adalékolatlan	Adalékolatlan
Elsődleges sík tájolás	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	fokozat
Elsődleges sík hossza	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Másodlagos síkhossz	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Másodlagos sík tájolás	90° óramutató járásával megegyező irányban az elsődleges síkfelülettől ± 5,0°	90° óramutató járásával megegyező irányban az elsődleges síkfelülettől ± 5,0°	90° óramutató járásával megegyező irányban az elsődleges síkfelülettől ± 5,0°	fokozat
Élkizárás	3	3	3	mm
LTV/TTV/Íj/Form	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Felületi érdesség	Si-felület: CMP, C-felület: Polírozott	Si-felület: CMP, C-felület: Polírozott	Si-felület: CMP, C-felület: Polírozott
Repedések (nagy intenzitású fény)	Egyik sem	Egyik sem	Egyik sem
Hatszögletű lemezek (nagy intenzitású fény)	Egyik sem	Egyik sem	Összesített terület 10%	%
Politípusos területek (nagy intenzitású fény)	Összesített terület 5%	Összesített terület 20%	Összesített terület 30%	%
Karcolások (nagy intenzitású fény)	≤ 5 karcolás, összesített hossz ≤ 150	≤ 10 karcolás, összesített hossz ≤ 200	≤ 10 karcolás, összesített hossz ≤ 200	mm
Élforgácsolás	Nincs ≥ 0,5 mm szélesség/mélység	2 megengedett ≤ 1 mm szélesség/mélység	5 megengedett ≤ 5 mm szélesség/mélység	mm
Felületi szennyeződés	Egyik sem	Egyik sem	Egyik sem

Alkalmazások

1. Teljesítményelektronika
A HPSI SiC szubsztrátok széles tiltott sávja és magas hővezető képessége ideálissá teszi őket extrém körülmények között működő erőeszközökhöz, például:
● Nagyfeszültségű eszközök: Beleértve a MOSFET-eket, IGBT-ket és Schottky-diódákat (SBD-ket) a hatékony teljesítményátalakítás érdekében.
●Megújuló energiarendszerek: Például napelemes inverterek és szélturbina-vezérlők.
●Elektromos járművek (EV-k): Inverterekben, töltőkben és erőátviteli rendszerekben használják a hatékonyság javítása és a méret csökkentése érdekében.

2. RF és mikrohullámú alkalmazások
A HPSI ostyák nagy ellenállása és alacsony dielektromos vesztesége elengedhetetlen a rádiófrekvenciás (RF) és mikrohullámú rendszerekhez, beleértve:
●Távközlési infrastruktúra: Bázisállomások 5G hálózatokhoz és műholdas kommunikációhoz.
● Repülőgépipar és védelem: Radarrendszerek, fázisvezérelt antennák és repüléselektronikai alkatrészek.

3. Optoelektronika
A 4H-SiC átlátszósága és széles tiltott sávja lehetővé teszi optoelektronikai eszközökben való alkalmazását, például:
●UV fotodetektorok: Környezeti monitorozáshoz és orvosi diagnosztikához.
● Nagy teljesítményű LED-ek: Szilárdtest világítási rendszereket támogatnak.
●Lézerdiódák: Ipari és orvosi alkalmazásokhoz.

4. Kutatás és fejlesztés
A HPSI SiC szubsztrátokat széles körben használják az akadémiai és ipari K+F laboratóriumokban fejlett anyagtulajdonságok és eszközgyártás vizsgálatára, beleértve:
●Epitaxiális rétegnövekedés: Tanulmányok a hibák csökkentéséről és a rétegek optimalizálásáról.
●Hordómobilitási vizsgálatok: Elektron- és lyuktranszport vizsgálata nagy tisztaságú anyagokban.
●Prototípusgyártás: Új eszközök és áramkörök kezdeti fejlesztése.

Előnyök

Kiváló minőség:
A nagy tisztaság és az alacsony hibasűrűség megbízható platformot biztosít a fejlett alkalmazásokhoz.

Termikus stabilitás:
A kiváló hőelvezetési tulajdonságok lehetővé teszik az eszközök hatékony működését nagy teljesítmény- és hőmérsékleti körülmények között.

Széleskörű kompatibilitás:
Az elérhető tájolások és az egyedi vastagsági opciók biztosítják a különféle eszközigényekhez való alkalmazkodóképességet.

Tartósság:
A kivételes keménység és szerkezeti stabilitás minimalizálja a kopást és a deformációt a feldolgozás és az üzemeltetés során.

Sokoldalúság:
Széles körű iparágakban alkalmazható, a megújuló energiától a repülőgépiparon át a telekommunikációig.

Következtetés

A 3 hüvelykes, nagy tisztaságú, félig szigetelő szilícium-karbid lapka a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és optoelektronikai eszközök szubsztrát-technológiájának csúcsát képviseli. Kiváló termikus, elektromos és mechanikai tulajdonságainak kombinációja megbízható teljesítményt biztosít kihívást jelentő környezetekben is. Az erősáramú elektronikától és az RF rendszerektől az optoelektronikáig és a fejlett kutatás-fejlesztésig ezek a HPSI szubsztrátok a holnap innovációinak alapját képezik.
További információért vagy megrendelés leadásához kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot. Műszaki csapatunk készséggel áll rendelkezésére, hogy útmutatást és az Ön igényeire szabott testreszabási lehetőségeket biztosítson.