3 hüvelykes, nagy tisztaságú (adalékolatlan) szilícium-karbid lapkák, félig szigetelő szilikon szubsztrátok (HPSl)

Rövid leírás:

A 3 hüvelykes, nagy tisztaságú félszigetelő (HPSI) szilícium-karbid (SiC) lapka egy prémium minőségű hordozó, amelyet nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és optoelektronikai alkalmazásokhoz optimalizáltak. Adalékolatlan, nagy tisztaságú 4H-SiC anyagból készült ostyák kiváló hővezető képességgel, széles sávszélességgel és kivételes félszigetelő tulajdonságokkal rendelkeznek, így nélkülözhetetlenek a fejlett eszközfejlesztéshez. Kiváló szerkezeti integritással és felületi minőségükkel a HPSI SiC szubsztrátumok a következő generációs technológiák alapjául szolgálnak a teljesítményelektronikában, a távközlésben és a repülőgépiparban, és támogatják az innovációt különböző területeken.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Tulajdonságok

1. Fizikai és szerkezeti tulajdonságok
● Anyagtípus: nagy tisztaságú (adalékolatlan) szilícium-karbid (SiC)
●Átmérő: 3 hüvelyk (76,2 mm)
●Vastagság: 0,33-0,5 mm, az alkalmazási követelmények alapján testreszabható.
● Kristályszerkezet: 4H-SiC politípus hatszögletű ráccsal, nagy elektronmobilitásáról és termikus stabilitásáról ismert.
●Tájolás:
oStandard: [0001] (C-sík), sokféle alkalmazásra alkalmas.
oOpcionális: tengelyen kívüli (4° vagy 8° dőlés) az eszközrétegek fokozott epitaxiális növekedéséhez.
● Simaság: Teljes vastagságváltozás (TTV) ● Felületminőség:
oAlacsony hibasűrűségre polírozva (<10/cm² mikrocsősűrűség). 2. Elektromos tulajdonságok ● Ellenállás: >109^99 Ω·cm, fenntartva a szándékos adalékanyagok eltávolításával.
● Dielektromos szilárdság: Nagy feszültségállóság minimális dielektromos veszteséggel, ideális nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
●Hővezetőképesség: 3,5-4,9 W/cm·K, amely hatékony hőelvezetést tesz lehetővé a nagy teljesítményű készülékekben.

3. Termikus és mechanikai tulajdonságok
●Széles sávszélesség: 3,26 eV, amely támogatja a nagyfeszültségű, magas hőmérsékletű és magas sugárzási feltételek melletti működést.
● Keménység: 9-es Mohs-skála, amely biztosítja a robusztusságot a feldolgozás során a mechanikai kopással szemben.
●Hőtágulási együttható: 4,2×10-6/K4,2 \x 10^{-6}/\text{K}4,2×10-6/K, amely biztosítja a méretbeli stabilitást hőmérséklet-ingadozások mellett.

Paraméter	Gyártási fokozat	Kutatási fokozat	Dummy Grade	Egység
Fokozat	Gyártási fokozat	Kutatási fokozat	Dummy Grade
Átmérő	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Vastagság	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Ostya orientáció	Tengelyen: <0001> ± 0,5°	Tengelyen: <0001> ± 2,0°	Tengelyen: <0001> ± 2,0°	fokozat
Mikrocső sűrűség (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Elektromos ellenállás	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Adalékanyag	Nem adalékolt	Nem adalékolt	Nem adalékolt
Elsődleges lapos tájolás	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	fokozat
Elsődleges lapos hossz	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Másodlagos lapos hossz	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Másodlagos lapos tájolás	90° CW az elsődleges laptól ± 5,0°	90° CW az elsődleges laptól ± 5,0°	90° CW az elsődleges laptól ± 5,0°	fokozat
Élek kizárása	3	3	3	mm
LTV/TTV/Íj/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	µm
Felületi érdesség	Si-face: CMP, C-face: Polírozott	Si-face: CMP, C-face: Polírozott	Si-face: CMP, C-face: Polírozott
Repedések (nagy intenzitású fény)	Egyik sem	Egyik sem	Egyik sem
Hatlapú lemezek (nagy intenzitású fény)	Egyik sem	Egyik sem	Összesített terület 10%	%
Politípus területek (nagy intenzitású fény)	Összesített terület 5%	Összesített terület 20%	Összesített terület 30%	%
Karcolások (nagy intenzitású fény)	≤ 5 karcolás, kumulált hossz ≤ 150	≤ 10 karcolás, kumulált hossz ≤ 200	≤ 10 karcolás, kumulált hossz ≤ 200	mm
Edge Chipping	Nincs ≥ 0,5 mm szélesség/mélység	2 megengedett ≤ 1 mm szélesség/mélység	5 megengedett ≤ 5 mm szélesség/mélység	mm
Felületi szennyeződés	Egyik sem	Egyik sem	Egyik sem

Alkalmazások

1. Teljesítményelektronika
A HPSI SiC szubsztrátumok széles sávszélessége és nagy hővezető képessége ideálissá teszi őket extrém körülmények között működő tápegységekhez, mint például:
●Nagyfeszültségű eszközök: MOSFET-eket, IGBT-ket és Schottky-záródiódákat (SBD) tartalmaznak a hatékony áramátalakítás érdekében.
● Megújuló energiarendszerek: például szoláris inverterek és szélturbina vezérlők.
●Elektromos járművek (EV): Inverterekben, töltőkben és hajtáslánc-rendszerekben használják a hatékonyság javítása és a méret csökkentése érdekében.

2. RF és mikrohullámú alkalmazások
A HPSI lapkák nagy ellenállása és alacsony dielektromos vesztesége alapvető fontosságú a rádiófrekvenciás (RF) és mikrohullámú rendszerekben, beleértve:
● Telekommunikációs infrastruktúra: bázisállomások az 5G hálózatokhoz és a műholdas kommunikációhoz.
● Repülés és védelem: radarrendszerek, fázissoros antennák és repüléselektronikai alkatrészek.

3. Optoelektronika
A 4H-SiC átlátszósága és széles sávszélessége lehetővé teszi optoelektronikai eszközökben való használatát, mint például:
●UV fotodetektorok: Környezetfigyeléshez és orvosi diagnosztikához.
● Nagy teljesítményű LED-ek: Támogatják a szilárdtest világítási rendszereket.
● Lézerdiódák: Ipari és orvosi alkalmazásokhoz.

4. Kutatás és fejlesztés
A HPSI SiC szubsztrátokat széles körben használják akadémiai és ipari K+F laboratóriumokban a fejlett anyagtulajdonságok és az eszközök gyártásának feltárására, beleértve:
● Epitaxiális rétegnövekedés: Tanulmányok a hibacsökkentésről és a rétegoptimalizálásról.
● Carrier Mobility Studies: Elektron- és lyuktranszport vizsgálata nagy tisztaságú anyagokban.
● Prototípuskészítés: Újszerű eszközök és áramkörök kezdeti fejlesztése.

Előnyök

Kiváló minőség:
A nagy tisztaság és az alacsony hibasűrűség megbízható platformot biztosít a fejlett alkalmazásokhoz.

Hőstabilitás:
A kiváló hőelvezetési tulajdonságok lehetővé teszik az eszközök hatékony működését nagy teljesítményű és hőmérsékleti körülmények között.

Széleskörű kompatibilitás:
A rendelkezésre álló tájolások és egyedi vastagság-beállítások biztosítják a különféle eszközigényekhez való alkalmazkodást.

Tartósság:
A kivételes keménység és szerkezeti stabilitás minimalizálja a kopást és a deformációt a feldolgozás és a működés során.

Sokoldalúság:
Alkalmas számos iparághoz, a megújuló energiától az űrkutatásig és a távközlésig.

Következtetés

A 3 hüvelykes, nagy tisztaságú, félig szigetelő szilícium-karbid lapka a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és optoelektronikai eszközök hordozótechnológiájának csúcsát képviseli. Kiváló termikus, elektromos és mechanikai tulajdonságainak kombinációja megbízható teljesítményt biztosít kihívásokkal teli környezetben. A teljesítményelektronikától és a rádiófrekvenciás rendszerektől az optoelektronikáig és a fejlett K+F-ig ezek a HPSI-hordozók a holnap innovációinak alapot adják.
Bővebb információért vagy rendelés leadásához forduljon hozzánk bizalommal. Technikai csapatunk készséggel áll rendelkezésére, hogy az Ön igényeire szabott útmutatást és testreszabási lehetőségeket nyújtson.