3 hüvelykes, 76,2 mm-es 4H-félig SiC szubsztrát lapka Szilícium-karbid félig szigetelő SiC lapkák

A 3 hüvelykes 4H félig szigetelt SiC (szilícium-karbid) szubsztrát ostyák általánosan használt félvezető anyagok. A 4H tetrahexaéderes kristályszerkezetet jelöl. A félig szigetelés azt jelenti, hogy a hordozó nagy ellenállási jellemzőkkel rendelkezik, és valamelyest elszigetelhető az áramtól.

Az ilyen szubsztrát lapkák a következő jellemzőkkel rendelkeznek: nagy hővezető képesség, alacsony vezetési veszteség, kiváló magas hőmérséklet-állóság, valamint kiváló mechanikai és kémiai stabilitás. Mivel a szilícium-karbid nagy energiarésszel rendelkezik, és ellenáll a magas hőmérsékletnek és a nagy elektromos térviszonyoknak, a 4H-SiC félszigetelt lapkákat széles körben használják a teljesítményelektronikában és a rádiófrekvenciás (RF) eszközökben.

A 4H-SiC félig szigetelt lapkák főbb alkalmazásai a következők:

1-- Erőteljesítmény-elektronika: A 4H-SiC lapkák felhasználhatók teljesítménykapcsoló eszközök, például MOSFET-ek (fém-oxid félvezető térhatású tranzisztorok), IGBT-k (szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok) és Schottky-diódák gyártására. Ezek az eszközök alacsonyabb vezetési és kapcsolási veszteséggel rendelkeznek nagyfeszültségű és magas hőmérsékletű környezetben, és nagyobb hatékonyságot és megbízhatóságot kínálnak.

2--Rádiófrekvenciás (RF) eszközök: 4H-SiC félszigetelt lapkák használhatók nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás rádiófrekvenciás teljesítményerősítők, chipellenállások, szűrők és egyéb eszközök gyártására. A szilícium-karbid jobb nagyfrekvenciás teljesítménnyel és termikus stabilitással rendelkezik a nagyobb elektrontelítési sodródási sebesség és a magasabb hővezető képesség miatt.

3--Optoelektronikai eszközök: A 4H-SiC félszigetelt lapkák nagy teljesítményű lézerdiódák, UV fénydetektorok és optoelektronikai integrált áramkörök gyártására használhatók.

A piaci irányt tekintve a 4H-SiC félszigetelt lapkák iránti kereslet a teljesítményelektronika, az RF és az optoelektronika növekvő területeivel együtt növekszik. Ez annak a ténynek köszönhető, hogy a szilícium-karbid alkalmazási köre széles körben alkalmazható, beleértve az energiahatékonyságot, az elektromos járműveket, a megújuló energiát és a kommunikációt. A jövőben a 4H-SiC félig szigetelt lapkák piaca továbbra is nagyon ígéretes marad, és várhatóan felváltja a hagyományos szilícium anyagokat a különböző alkalmazásokban.