6 hüvelykes, 150 mm-es szilícium-karbid szilícium-karbid ostya 4H-N típusú MOS vagy SBD gyártási kutatáshoz és dummy minőségű

6 hüvelykes, 150 mm-es szilícium-karbid szilícium-karbid lapkák 4H-N típusú MOS vagy SBD gyártási kutatáshoz és ál-minőségű Kiemelt kép

Rövid leírás:

A 6 hüvelykes szilícium-karbid egykristály hordozó egy nagy teljesítményű anyag, kiváló fizikai és kémiai tulajdonságokkal.Nagy tisztaságú szilícium-karbid egykristályos anyagból készült, kiváló hővezető képességgel, mechanikai stabilitással és magas hőmérséklettel szembeni ellenállással rendelkezik.Ez a precíziós gyártási eljárásokkal és kiváló minőségű anyagokkal készült szubsztrátum a különböző területeken a nagy hatékonyságú elektronikai eszközök gyártásának kedvelt anyagává vált.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék leírás

Termékcímkék

Alkalmazási mezők

A 6 hüvelykes szilícium-karbid egykristály hordozó számos iparágban döntő szerepet játszik.Először is, széles körben használják a félvezetőiparban nagy teljesítményű elektronikus eszközök, például teljesítménytranzisztorok, integrált áramkörök és teljesítménymodulok gyártására.Magas hővezető képessége és magas hőmérsékleti ellenállása jobb hőelvezetést tesz lehetővé, ami jobb hatékonyságot és megbízhatóságot eredményez.Másodszor, a szilícium-karbid lapkák nélkülözhetetlenek az új anyagok és eszközök kifejlesztéséhez szükséges kutatási területeken.Ezenkívül a szilícium-karbid lapka széles körben alkalmazható az optoelektronika területén, beleértve a LED-ek és lézerdiódák gyártását.

Termékleírás

A 6 hüvelykes szilícium-karbid egykristály hordozó átmérője 6 hüvelyk (körülbelül 152,4 mm).A felületi érdesség Ra < 0,5 nm, a vastagság 600 ± 25 μm.A szubsztrátum az ügyfél igényei szerint N-típusú vagy P-típusú vezetőképességgel is testreszabható.Ezenkívül kivételes mechanikai stabilitást mutat, ellenáll a nyomásnak és a vibrációnak.

Átmérő		150±2,0 mm (6 hüvelyk)
Vastagság		350 μm±25 μm
Irányultság		A tengelyen: <0001>±0,5°		Tengelyen kívül: 4,0° 1120±0,5° felé
Politípus		4H
Ellenállás (Ω·cm)	4H-N	0,015-0,028 Ω·cm/0,015-0,025 ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Elsődleges lapos tájolás		{10-10}±5,0°
Elsődleges lapos hossz (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Él		Letörés
TTV/Íj/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM front (Si-face)		Lengyel Ra≤1 nm
		CMP Ra<0,5 nm
LTV		≤3μm (10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15 μm
Narancsbőr/gödrök/repedések/szennyeződés/foltok/csíkok		Egyik sem	Egyik sem		Egyik sem
behúzások		Egyik sem	Egyik sem		Egyik sem

A 6 hüvelykes szilícium-karbid egykristály hordozó egy nagy teljesítményű anyag, amelyet széles körben használnak a félvezető-, kutatás- és optoelektronikai iparban.Kiváló hővezető képességgel, mechanikai stabilitással és magas hőmérséklettel szembeni ellenállással rendelkezik, így alkalmas nagy teljesítményű elektronikai eszközök gyártására és új anyagok kutatására.Különféle specifikációkat és testreszabási lehetőségeket kínálunk a különféle vásárlói igények kielégítésére.Lépjen kapcsolatba velünk a szilícium-karbid ostyák további részleteiért!